阻抗型石英晶體微天平檢測(cè)技術(shù)與特點(diǎn)說(shuō)明
點(diǎn)擊次數(shù)：1933 更新時(shí)間：2021-03-27
阻抗型石英晶體微天平基于耗散因子檢測(cè)技術(shù)的界面跟蹤探測(cè)系統(tǒng)進(jìn)行分子與界面相互作用的研究，工作時(shí)，先將芯片放置于流動(dòng)池中，將流動(dòng)池固定于樣品平臺(tái)上，樣品平臺(tái)與電子單元和電腦主機(jī)連接，樣品通過(guò)蠕動(dòng)泵流經(jīng)流動(dòng)池中的芯片上方；
通過(guò)軟件設(shè)置，電子單元對(duì)芯片兩面施加一個(gè)電壓隨后斷開(kāi)，芯片發(fā)生振動(dòng)、產(chǎn)生電信號(hào)并傳輸回電子單元，振動(dòng)的頻率和振幅記錄在軟件系統(tǒng)里；
當(dāng)樣品流經(jīng)芯片上方，有物質(zhì)吸附在芯片上或者將芯片上的物質(zhì)沖走時(shí)，都會(huì)改變芯片的振動(dòng)狀態(tài)并被記錄下來(lái)；
芯片振動(dòng)狀態(tài)與芯片上方物質(zhì)的改變量，包括質(zhì)量，厚度，密度和柔軟程度有關(guān)，所以軟件通過(guò)數(shù)學(xué)分析的方法可以獲取芯片上方物質(zhì)的這些變量。
測(cè)定吸附層質(zhì)量，并同步提供粘彈性等結(jié)構(gòu)信息。可測(cè)定多種不同類型表面的分子相互作用和分子吸附行為，同時(shí)可檢測(cè)分子的結(jié)構(gòu)變化以及吸附與解析的動(dòng)態(tài)過(guò)程。
阻抗型石英晶體微天平的特點(diǎn)：
1．測(cè)量低、中、高頻0.02～100MHz范圍內(nèi)石英晶體諧振頻率、等效電阻。
2．第四代升級(jí)產(chǎn)品，頻率電調(diào)諧，機(jī)內(nèi)帶可調(diào)負(fù)載電容。
3．頻率數(shù)顯，阻抗指針式顯示。
4．頻率測(cè)量精度≤5PPM，可選配更高精度頻標(biāo)。
5．可選配八位頻率和四位PPM同時(shí)顯示，頻率上下限、分檔分選功能。
6．上下限頻率分別設(shè)置，超出范圍（不合格）時(shí)自動(dòng)聲光報(bào)警。
